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化學氣相沉積系統MPCVD具有什么普遍的特點

更新時間:2021-08-18點擊次數:2258
    微波等離子化學氣相沉積系統MPCVD爐,通過等離子增加前驅體的反應速率,降低反應溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結晶形態(tài)好的高質量硬質薄膜和晶體。

 


   化學氣相沉積法之所以得到發(fā)展,是和它本身的特點分不開的,其特點如下:
   1、沉積物種類多: 可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜,也可以按要求制備多組分合金的薄膜,以及陶瓷或化合物層。
   2、CVD反應在常壓或低真空進行,鍍膜的繞射性好,對于形狀復雜的表面或工件的深孔、細孔都能均勻鍍覆。
   3、能得到純度高、致密性好、殘余應力小、結晶良好的薄膜鍍層。
   4、由于薄膜生長的溫度比膜材料的熔點低得多,由此可以得到純度高、結晶*的膜層,這是有些半導體膜層所必須的。
   5、利用調節(jié)沉積的參數,可以有效地控制覆層的化學成分、形貌、晶體結構和晶粒度等。
   6、設備簡單、操作維修方便。
   7、反應溫度太高,一般要850-1100℃下進行,許多基體材料都耐受不住CVD的高溫。采用等離子或激光輔助技術可以降低沉積溫度。

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